半导体硅材料基础

《半导体硅材料基础》是2009年07月化学工业出版社出版的图书，作者是尹建华。

• 书名 半导体硅材料基础
• 作者 尹建华
• 出版社 化学工业出版社
• 出版时间 2009年07月
• 定价 29 元

内容简介

　　《半片材接销考导体硅材料基础》系统地介绍了半导体硅材料的基本性质、与半导体晶体材料相关的晶体几何学、能带理论、微电子学方面的基础理论知识，系统地介绍了作为光伏技术应用的硅材料的制备基础理论知识，为系统学习多晶硅生产技术和单晶硅及硅片加工技术奠火目阶车纪改属项量定理论基础，是硅材料技术专业的核心教材。

　　爱源《半导体硅材料基础》可作为高职高专硅材料技术及光伏专业的教材，同时也可作为中专、技校和从事单晶硅生产的企业员工的培训教材，还可供相关专业工程技术人员学习参考。

目录

　　第1章概论1

　　11硅材料工业的发展1

　　12半导体市场及发展2

　　13中国扩建新建多晶硅厂应注意的问题3

　　本章小结5

　　习题5

　　第2章半导体材料基本性质6

　　21半导体材管菜派纪双烟谈单附怕科料的分类及性质6

　　22硅的物理化学性质8

　真跳都触组树　23硅材料的纯度及多晶硅标准10

　　本章迅持批货胡早手空小结11

　　习题12

　　第3章晶体几何学基础13

　　31晶体结构13

　　32晶向指数16

　　33晶面指数16

　　34立方晶体17

　　35金刚石和硅晶体结构19

　　36倒格子22

　　本章小结22

　　习题23

　　第4章晶体缺陷24

　　41点缺陷24

　　42线缺陷26

　　43面缺陷30

　　44体缺陷31

　　本章小结32

　　习题32

　　第5章能带理论基础33

　　51能带理论的引入33

　　52半导体中危扬白除甚标组款年斤脸的载流子35

　　5来自3杂质能级36

　　54缺陷能级38

　　55直接能隙360百科与间接能隙38

　　56热平衡下的载流子39

　　本章小结45

　　习题45

　　第6章pn结46

　　61pn结的形成46

　　62pn结衣思渐合可取煤格里铁的制备47

　　63pn结的能带结构48

　　64p级之科盾划居简并站即直n结的特性49

　　本章小结50

　　习题50

　　第7章金属半导体接触和MIS结构51

　　71金属半导体接触51

　　72欧姆接重维区跑度来触55

　　73金属绝缘层什静所若半导体结构(MIS)56

伤航千　　本章小结57

　　习题57

　　第8章多晶硅材料的制取58

　　81冶金级硅材料的制取58

　　82高纯多晶硅的制取59

　　83太阳局化曲成能级多晶硅的制取61

　协长　本章小结62

　　习题6画获总劳立能2

　　第9章单晶硅的制备63

　　91结晶学基础63

　　92晶核的形成65

　　93区熔法69

　　94直拉法72

　　95杂质分凝和氧污染80

　　96直拉硅中的碳85

　　97直拉硅中的金属杂质86

　　98磁拉法(MCz)89

　　99CC春冲杀z法(连续加料法)9溶门责讲夜乐永销丝例离3

　　本章小结96

　　习题97

　　第10章其他形态的硅材料98

　　101铸造多晶硅98

　　102带空探员益协皇伯某叶状硅材料110

　　103非晶硅薄膜112

　　104多晶硅薄膜116

　　本章小结118

　　习题119

　　第11章化合物半导体材料120

　　111化合物半导体材料特性120

　　112砷化镓(GaAs)122

　　本章小结131

　　习题131

　　第12章硅材料的加工132

　　121切去头尾132

　　122外径滚磨133

　　123磨定位面(槽)134

　　124切片136

　　125倒角(或称圆边)139

　　126研磨140

　　127腐蚀142

　　128抛光144

　　129清洗148

　　本章小结150

　　习题151

　　附录152

　　附录1常用物理量152

　　附录2一些杂质元素在硅中的平衡分凝系数、溶解度152

　　参考文献153