VS23S010的超大规模集成解决方案是一个易于使用的、大容量的一个位静态随机存取存储器装置。
VS23S010的超大规模集成解决方案是一个易于使用的、大容量的一个位静态随机存取存储器装置。记忆可以被存取来自通过标准SPI串行总线兼容(360百科1、2和4比特模式),或通过一个8080 - 8位并行怕杂线顺断更区总线类型相似的nand闪存设备。 的一个主要应用是单片机VS23S010 RAM扩展。互联网流媒体应用,它正变得越来越受欢迎,将受益于大VS23S010提供的缓冲存储器。 除了被使用作为纯粹的记忆储存陈既单纸便洋矛散行非便装置的VS23S010还包含一个模式生成逻辑。当VS23S010的RAM是通过SPI总线,它可以同时输出一个重复内存数据模式的并行总线通过四个别针。这个功能大大降低了计算的好查木座曲扬问华变都要求,单片机的应用程序需要定期输出从内存,比如视频帧缓冲区。
·灵活的1.5 v - 3.6 v操作电压
·131072 x 8位存储器组织
·串行外围接口(SPI)兼容
·SPI操作模式
款·以下l模式
·字节r o和写
·XHOLD和XWP针
·支持单、双和四输入读和写
·快速操作,整个内存可以写131076次和读13衡纪重存助容绿否提排1077次
·4比特和2位输出模式
·可配置帧长度
·IRQ输出同步
·顺序读写4字够事效封电轮阳田花今节块
·高操作频率
·低功耗CMOS技术
·Read curre国走命父的曾多nt 130 µA at 1 MHz (SO=0, TA=+25°C, VDD=3.3V)
·快速操作:整个内存可以写或读262176次(4个I/O SPI)
叶多酒缺 ·8位并行接口(简化808皇0和NAND闪存类型接口)
·高达36 MHz的SPI
·在48 MHz模式发生器
·15赫兹对8位并行接口
·待机重岁电流35µA(TA = + 25°C,VDD = 3.3 v)
·工业温度范围从-40°C到+ 85°C
无铅绿色环保封装(符合RoHS规范)
·详图
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